MEMS传感器产业爆发，半导体ALD设备助力压电薄膜与绝缘层ALD制备

MEMS压力传感器、射频滤波器、加速度传感器内部布满高深宽比三维沟槽，普通镀膜方法无法实现沟槽内壁均匀覆膜，只能依靠ALD逐层保形沉积。尤其是新一代氮化铝、掺钪氮化铝压电薄膜，需要采用低温等离子体增强ALD工艺，避免高温破坏精密微纳结构。

器件研发对设备提出两项硬性要求：第一，等离子体温和无离子轰击损伤；第二，多批次薄膜厚度波动控制在合理区间，保证器件电学性能一致性。很多课题组在调试过程中，因为腔体气流不均，造成沟槽开口与底部膜厚差距过大，器件良率难以提升。

埃维拓ATPE100半导体ALD设备采用远程感应耦合等离子源，等离子体在腔体外部生成，样品仅接触活性自由基，规避离子刻蚀。腔体流道经过流体仿真优化，气流分布均匀，提升三维微结构台阶覆盖率。设备可稳定制备AlN、AlScN、SiO₂、Al₂O₃等MEMS常用介质与压电薄膜，配套定制化ALD工艺开发服务，帮助射频器件、传感器企业快速完成样品研发与工艺定型。