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    埃维拓科技ATT-100
    全自动、高精度、智能化原子层沉积高端装备的研发。
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    埃维拓科技ATPE100
    ATPE100等离子体增强原子层沉积设备
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    埃维拓科技ATG100
    ATG100手套箱耦合原子层沉积设备
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    关于埃维拓
    苏州埃拓精密科技有限公司成立于江苏苏州, 专注从事原子层沉积设备制造和工艺开发的厂家。
    产品涵盖纳米薄膜与粉体等多种制备设备, 用户服务于国内外相关领域的重点大学和研究机构与企业。
    公司拥有独立的 ALD 工艺开发部门, 在薄膜材料研发方面经验丰富。
    实验室内拥有多台 ALD 设备用于薄膜开发,可为不同行业不同样品提供 ALD代加工服务,可为客户提供最专业的材料开发技术支持。
    埃拓科技将提供从ALD设备到工艺的全方位服务。
    利他
    守正
    自主
    创新
    产品设备
    • ATT100
    • ATPE100
    • ATG100

    埃维拓ATT100热法原子层沉积设备


    产品特点及优势:

    · 真空测量采用双真空压力计组合方式,工艺数据更真实,更迅速,更精确;

    · 采用 PLC+工控机,设备全参数集成控制,支持“一键沉积”功能,设备操作更简便;

    · 高性能控制阀门,耐温性/耐腐蚀更强,保障设备运行稳定性;

    ALD原子层沉积
    通过控制反应条件可以沉积多种薄膜或金属催化剂
    并对膜厚或金属催化剂负载量进行精确调控
    三维共形性
    精准控制
    低温制备工艺
    均匀性
    材料选择广泛
    良好的附着力
    微机电系统/传感器应用
    制备MEMS器件 ALD沉积的薄膜通常具有较高的致密性和均匀性,能够显著提升MEMS器件的机械、化学和电学性能,增加其稳定性和耐用性。


    半导体行业应用
    沉积高k电介质薄膜(IC) 采用具有高介电常数 (k) 的材料(例如Al₂O₃和HfO₂)来补偿因厚度减小引起的电容降低。


    光伏领域应用
    沉积Al₂O₃和SiNx
    电池片的正面或背面沉积Al₂O₃和SiNx,ALD镀层可作为表面钝化层、缓冲层、窗口层、吸收层、电子/空穴接触层或透明导电氧化物。


    新型显示行业应用
    ALD封装膜 ALD薄膜的优异保型性能够提供高效的钝化保护层,有效阻隔水氧侵蚀,提升LED的性能和耐用性。


    光学器件行业应用
    AR膜
    ALD技术的台阶覆盖性优势使其能够在微透镜或超构表面沉积单层或多层膜,从而改善复杂结构透镜的热稳定性,并增加与周围环境的折射率对比。
    ALD镀层可作为表面钝化层、缓冲层、窗口层、吸收层、电子/空穴接触层或透明导电氧化物。
    微机电系统/传感器应用
    制备MEMS器件 ALD沉积的薄膜通常具有较高的致密性和均匀性,能够显著提升MEMS器件的机械、化学和电学性能,增加其稳定性和耐用性。


    半导体行业应用
    沉积高k电介质薄膜(IC) 采用具有高介电常数 (k) 的材料(例如Al₂O₃和HfO₂)来补偿因厚度减小引起的电容降低。


    新闻中心

    掌控原子级的“乐高”魔法:ALD设备打破摩尔定律极限,引领半导体与新材料产业革新

    2026-06-18
    在人类科技向微观世界不断挺进的今天,纳米级别的制造精度已成为决定国家核心竞争力的关键。当传统的物理镀膜与化学气相沉积(CVD)技术在十纳米以下的节点遭遇瓶颈时,一项被誉为“原子级制造”的技术——原子层沉积(Atomic Layer Deposition,简称ALD)及其核心装备,正挺身而出,成为半导体、新能源及前沿新材料领域的“破局利器”。近日,国内多家顶尖半导体设备企业宣布在ALD设备国产...
    行业资讯

    突破制造极限的“纳米级魔术师”:深度解析ALD原子层沉积的优势与核心作用

    2026-06-11
    在当今科技界,芯片的制程节点正在向3纳米甚至更小迈进,新能源电池的寿命不断刷新,新型柔性屏幕正以不可思议的形态折叠展开。在这些令人瞩目的科技突破背后,隐藏着一位不可或缺的“幕后英雄”——ALD(Atomic Layer Deposition,原子层沉积)技术。它如同一位拥有极致操控力的“纳米级魔术师”,正在重塑现代工业的制造边界。面对传统工艺遭遇的物理极限,ALD技术究竟凭借怎样的优势与作用...
    行业资讯

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    2026-06-18
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    MEMS传感器产业爆发,半导体ALD设备助力压电薄膜与绝缘层ALD制备

    2026-07-10
    MEMS压力传感器、射频滤波器、加速度传感器内部布满高深宽比三维沟槽,普通镀膜方法无法实现沟槽内壁均匀覆膜,只能依靠ALD逐层保形沉积。尤其是新一代氮化铝、掺钪氮化铝压电薄膜,需要采用低温等离子体增强ALD工艺,避免高温破坏精密微纳结构。器件研发对设备提出两项硬性要求:第一,等离子体温和无离子轰击损伤;第二,多批次薄膜厚度波动控制在合理区间,保证器件电学性能一致性。很多课题组在调试过程中,因...
    行业资讯

    ALD原子层沉积设备国产化提速,国产ALD系统补齐实验室与中试装备短板

    2026-07-09
    过去国内高校与科研机构采购ALD设备长期依赖欧美进口品牌,设备单价较高、交货周期较长、售后维保成本居高不下,很多课题组只能缩减实验规模。近几年国内ALD设备厂商突破腔体设计、真空控制、气路分配、温控系统等核心技术,ALD原子层沉积设备进入高速国产化阶段。国产机型的核心竞争力不再只停留在硬件价格,而是同步配套ALD工艺开发、样品代加工、设备升级改造一站式服务。很多设备出厂就预留PEALD等离子...
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    咨询电话:13355351666
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